图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MJD47 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 1A 250V 15W NPN

内部编号

277-MJD47

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MJD47产品详细规格

规格书 MJD47 datasheet 规格书
MJD47, 50
文档 Multiple Devices 06/Oct/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 06/Oct/2006
标准包装 75
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 250V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 200µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 300mA, 10V
功率 - 最大 1.56W
频率转换 10MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 1
最低工作温度 -65
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 10(Min)
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 1560
类型 NPN
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 350
最大集电极发射极电压 250
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 30@0.3A@10V|10@1A@10V
包装高度 2.38(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 10MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 200µA
标准包装 75
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 250V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 1.56W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 300mA, 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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